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    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB072N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6607-55C,118 起订426个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6607-55C,118 起订426个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1600,"21+":1136,"22+":3200,"MI+":1600}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6607-55C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:158W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5160pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB054N06N3GATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB054N06N3GATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB054N06N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:4V@58µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5CGSCATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5CGSCATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGSCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€89W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5453pF@12V

    连续漏极电流:47A€310A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86567-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D0N12C 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D0N12C 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D0N12C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€106W

    阈值电压:4V@370A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6460pF@60V

    连续漏极电流:18.5A€114A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@67A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL45N65M5 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STL45N65M5 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL45N65M5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€160W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3470pF@100V

    连续漏极电流:3.8A€22.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:86mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C302NT1G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C302NT1G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€96W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5780pF@15V

    连续漏极电流:41A€230A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6607-55C,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6607-55C,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6607-55C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:158W

    阈值电压:2.8V@1mA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5160pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5SCATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5SCATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE006NE2LM5SCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€89W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5453pF@12V

    连续漏极电流:47A€310A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB072N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLH5034TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLH5034TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLH5034TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€156W

    阈值电压:2.5V@150µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4730pF@25V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5SCATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5SCATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE006NE2LM5SCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€89W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5453pF@12V

    连续漏极电流:47A€310A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C302NT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C302NT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS4C302NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€115W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5780pF@15V

    连续漏极电流:43A€241A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB054N06N3GATMA1 起订411个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB054N06N3GATMA1 起订411个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2000,"23+":1413}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB054N06N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:4V@58µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5862NT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5862NT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5862NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:98A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86567-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL45N65M5 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STL45N65M5 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL45N65M5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€160W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3470pF@100V

    连续漏极电流:3.8A€22.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:86mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5CGSCATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE006NE2LM5CGSCATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE006NE2LM5CGSCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€89W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5453pF@12V

    连续漏极电流:47A€310A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C302NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C302NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€96W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5780pF@15V

    连续漏极电流:41A€230A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C302NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C302NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS4C302NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€115W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5780pF@15V

    连续漏极电流:43A€241A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK764R4-60E,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK764R4-60E,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK764R4-60E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:234W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6230pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6607-55C,118 起订2400个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6607-55C,118 起订2400个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6607-55C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:158W

    阈值电压:2.8V@1mA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5160pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NWFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NWFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C420NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€150W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@20V

    连续漏极电流:43A€268A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT064N65S3H 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT064N65S3H 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT064N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260W

    阈值电压:4V@3.9mA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3745pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C302NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C302NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€96W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5780pF@15V

    连续漏极电流:41A€230A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5862NT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5862NT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5862NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:98A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C302NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C302NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€96W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5780pF@15V

    连续漏极电流:41A€230A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86567-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D0N12C 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D0N12C 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D0N12C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€106W

    阈值电压:4V@370A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6460pF@60V

    连续漏极电流:18.5A€114A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@67A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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