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    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0150N80 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0150N80 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0150N80

    栅极电荷:188nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12800pF@25V

    功率:429W

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:1.4mΩ@80A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75545S3ST 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75545S3ST 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):HUF75545S3ST

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:235nC@20V

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    连续漏极电流:75A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:270W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    输入电容:3750pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STH270N8F7-2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STH270N8F7-2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STH270N8F7-2

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13600pF@50V

    功率:315W

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    连续漏极电流:180A

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:2.1mΩ@90A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:193nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7493TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:15mΩ@5.6A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:53nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    连续漏极电流:9.3A

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:1510pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS588DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS588DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:16.9A€58.1A

    输入电容:1380pF@40V

    栅极电荷:28.5nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:4.8W€56.8W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:3.9mΩ@30A,10V

    功率:2.9W

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:100A

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:124.3nC@10V

    输入电容:8952pF@40V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    连续漏极电流:90A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0210N80 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0210N80 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0210N80

    包装方式:卷带(TR)

    功率:357W

    栅极电荷:169nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:10000pF@40V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:240A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:2mΩ@80A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR580DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR580DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:76nC@10V

    连续漏极电流:35.8A€146A

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    导通电阻:2.7mΩ@20A,10V

    功率:6.25W€104W

    输入电容:4100pF@40V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86363-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86363-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86363-F085

    包装方式:卷带(TR)

    功率:357W

    栅极电荷:169nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:10000pF@40V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:240A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:2mΩ@80A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJH800E-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJH800E-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJH800E-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:10230pF@40V

    功率:3.3W€333W

    栅极电荷:210nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:29A€299A

    导通电阻:1.55mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7493TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7493TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:15mΩ@5.6A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:53nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    连续漏极电流:9.3A

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:1510pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86366-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86366-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86366-F085

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:112nC@10V

    功率:300W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:220A

    输入电容:6320pF@40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS588DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS588DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS588DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:16.9A€58.1A

    输入电容:1380pF@40V

    栅极电荷:28.5nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    导通电阻:8mΩ@10A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:4.8W€56.8W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86368-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86368-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86368-F085

    导通电阻:4.5mΩ@80A,10V

    连续漏极电流:80A

    包装方式:卷带(TR)

    功率:214W

    栅极电荷:75nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:4350pF@40V

    阈值电压:4V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N08-16-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N08-16-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40N08-16-E3

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:16mΩ@40A,10V

    功率:3W€136W

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:1960pF@25V

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:3.9mΩ@30A,10V

    功率:2.9W

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:100A

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:124.3nC@10V

    输入电容:8952pF@40V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86367

    功率:227W

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:88nC@10V

    连续漏极电流:100A

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:4840pF@40V

    导通电阻:4.2mΩ@80A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86363-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86363-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86363-F085

    包装方式:卷带(TR)

    功率:357W

    栅极电荷:169nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:10000pF@40V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:240A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:2mΩ@80A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3512 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3512 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3512

    栅极电荷:18nC@10V

    输入电容:634pF@40V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    连续漏极电流:3A

    阈值电压:4V@250µA

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:77mΩ@3A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT80080DC 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT80080DC 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT80080DC

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:36A€254A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    功率:3.2W€156W

    栅极电荷:273nC@10V

    导通电阻:1.35mΩ@36A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    输入电容:20720pF@40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订52个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0330N80 起订52个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":985,"23+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0330N80

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:112nC@10V

    功率:300W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:220A

    输入电容:6320pF@40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86366-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86366-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86366-F085

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:3mΩ@80A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:112nC@10V

    功率:300W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:220A

    输入电容:6320pF@40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0210N80 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0210N80 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0210N80

    包装方式:卷带(TR)

    功率:357W

    栅极电荷:169nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:10000pF@40V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:240A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:2mΩ@80A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86340ET80 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86340ET80 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86340ET80

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:6.5mΩ@14A,10V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    栅极电荷:49nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:2775pF@40V

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:14A€68A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60020E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60020E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM60020E-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    导通电阻:2.1mΩ@30A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:227nC@10V

    功率:375W

    输入电容:10680pF@40V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86322 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86322

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:13A€60A

    功率:2.5W€104W

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    栅极电荷:55nC@10V

    输入电容:3000pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:7.65mΩ@13A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86380-F085

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    导通电阻:13.4mΩ@50A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    功率:75W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86380-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86380-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86380-F085

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    导通电阻:13.5mΩ@50A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    功率:75W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0210N80 起订115个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0210N80 起订115个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0210N80

    包装方式:卷带(TR)

    功率:357W

    栅极电荷:169nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:10000pF@40V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:240A

    导通电阻:2mΩ@80A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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