品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S51R7ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.4V@60µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@10V
连续漏极电流:51A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@40V
连续漏极电流:30.7A€125A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5250DTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€156W
阈值电压:2.35V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6115pF@13V
连续漏极电流:40A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S51R7ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@10V
连续漏极电流:51A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":7944}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800152DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€113W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5875pF@75V
连续漏极电流:13A€72A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@13A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":14380,"23+":20287,"MI+":7235}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S51R7ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5250DTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€156W
阈值电压:2.35V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6115pF@13V
连续漏极电流:40A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC010N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€150W
阈值电压:2.8V@747µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@20V
连续漏极电流:40A€285A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":7944}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800152DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€113W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5875pF@75V
连续漏极电流:13A€72A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@13A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@40V
连续漏极电流:30.7A€125A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@40V
连续漏极电流:30.7A€125A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S51R7ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP75N055YUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1W€138W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@38A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC010N04NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€150W
阈值电压:2.8V@747µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@20V
连续漏极电流:40A€285A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4004LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€180W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:215W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5287pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@40V
连续漏极电流:30.7A€125A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S51R7ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:3.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4004LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€180W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@40V
连续漏极电流:30.7A€125A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4415pF@40V
连续漏极电流:30.7A€125A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA32DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS02DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@10V
连续漏极电流:51A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:215W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5287pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800152DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€113W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5875pF@75V
连续漏极电流:13A€72A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@13A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA32DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5250DTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€156W
阈值电压:2.35V@150µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6115pF@13V
连续漏极电流:40A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA32DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: