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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2328DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.15A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：970mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：186pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2328DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.15A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB456DK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@50V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1480DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB456DK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@50V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2328DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.15A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2328DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.15A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2328DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.15A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2328DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.15A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2328DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.15A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2328DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.15A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB456DK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@50V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB456DK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@50V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB456DK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@50V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@910mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1480DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2328DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.15A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2328DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.15A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2328DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.15A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN8601
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2328DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.15A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
