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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R150CFDATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195.3W

    阈值电压:4.5V@900µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@100V

    连续漏极电流:22.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C410NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€166W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:46A€300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R150CFDATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195.3W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@100V

    连续漏极电流:22.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8638 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8638 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8638

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5680pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT3G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT3G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€166W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:46A€300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDAATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDAATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R150CFDAATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:195.3W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@100V

    连续漏极电流:22.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R150CFDATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195.3W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@100V

    连续漏极电流:22.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLH6224TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLH6224TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLH6224TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€52W

    阈值电压:1.1V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3710pF@10V

    连续漏极电流:28A€105A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R150CFDATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R150CFDATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:195.3W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@100V

    连续漏极电流:22.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04CL 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04CL 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:50A€316A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R165CFDAUMA1 起订141个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R165CFDAUMA1 起订141个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL65R165CFDAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:195W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@100V

    连续漏极电流:21.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFGQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFGQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3008SFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3690pF@10V

    连续漏极电流:17.6A€62A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB120N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB120N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5605pF@25V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@74A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D1N04CTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D1N04CTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D1N04CTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€153W

    阈值电压:4V@210µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5410pF@25V

    连续漏极电流:48.8A€277A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB200N25N3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB200N25N3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB200N25N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7100pF@100V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@64A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB200N25N3GATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB200N25N3GATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB200N25N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@270µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7100pF@100V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@64A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3008SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3690pF@10V

    连续漏极电流:17.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT3G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT3G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€166W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:46A€300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3008SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3690pF@10V

    连续漏极电流:17.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3008SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3690pF@10V

    连续漏极电流:17.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C410NWFAFT3G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C410NWFAFT3G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C410NWFAFT3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€166W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:46A€300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660 起订462个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660 起订462个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":392,"24+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7660

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4830pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT3G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT3G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€166W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:46A€300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFGQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFGQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3008SFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3690pF@10V

    连续漏极电流:17.6A€62A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7660

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4830pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7660

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4830pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDS8638 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8638 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":78,"19+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8638

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5680pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86300 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86300 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86300

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7082pF@40V

    连续漏极电流:19A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C410NAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C410NAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C410NAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€166W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:46A€300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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