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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB200N25N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7100pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@64A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB200N25N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7100pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@64A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT210N25NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@125V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@69A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT210N25NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@125V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@69A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB200N25N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7100pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@64A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT210N25NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@125V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@69A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT210N25NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@125V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@69A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT210N25NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@125V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@69A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT210N25NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@125V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@69A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT210N25NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@125V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@69A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT210N25NFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@125V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@69A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB200N25N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7100pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@64A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB200N25N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@270µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7100pF@100V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@64A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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