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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
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功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：150mW
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输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
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输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
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输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
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输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
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输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
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输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
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栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
连续漏极电流：300mA
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：0.6nC@4.5V
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
连续漏极电流：300mA
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：0.6nC@4.5V
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1330EDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1330EDL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LXHF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：17+
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：0.35W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
导通电阻：2Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BK，215
工作温度：150℃
功率：370mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：0.35W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
导通电阻：2Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LXHF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BKW，115
工作温度：150℃
功率：275mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1330EDL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BK，215
工作温度：150℃
功率：370mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
