采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2400，"21+"：800，"22+"：2400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R2-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2400，"21+"：800，"22+"：2400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R2-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB34N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€180W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@15.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2400，"21+"：800，"22+"：2400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R2-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP34N055SLE-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@17A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
生产批次：{"19+"：2400，"21+"：800，"22+"：2400}
规格型号(MPN)：BUK964R2-60E，118
输入电容：11380pF@25V
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
功率：263W
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@1mA
连续漏极电流：100A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP34N055SLE-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@17A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB34N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€180W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@15.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB34N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€180W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@15.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB34N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€180W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@15.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2400，"21+"：800，"22+"：2400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R2-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2400，"21+"：800，"22+"：2400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R2-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP34N055SLE-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@17A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB34N20LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€180W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@15.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
