采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR140DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8150pF@10V
连续漏极电流：71.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA24DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR140DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8150pF@10V
连续漏极电流：71.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：217616}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTWG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16404Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@12.5V
连续漏极电流：21A€81A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：8}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H02NFT1G
工作温度：150℃
功率：3.13W€83W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2652pF@12V
连续漏极电流：37A€193A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33000，"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33000，"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTWG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.3W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@15V
连续漏极电流：82A€335A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.3W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@15V
连续漏极电流：82A€335A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA24DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA24DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H013NFT1G
工作温度：150℃
功率：2.7W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3923pF@12V
连续漏极电流：43A€269A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16404Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@12.5V
连续漏极电流：21A€81A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16404Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@12.5V
连续漏极电流：21A€81A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR140DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8150pF@10V
连续漏极电流：71.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA24DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.3W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9950pF@15V
连续漏极电流：82A€335A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16408Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12.5V
连续漏极电流：22A€113A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16404Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@12.5V
连续漏极电流：21A€81A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16404Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@12.5V
连续漏极电流：21A€81A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16404Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@12.5V
连续漏极电流：21A€81A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA20DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10850pF@10V
连续漏极电流：81.7A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.58mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：217616}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTWG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16404Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@12.5V
连续漏极电流：21A€81A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
