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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR5710DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€56.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.8A€26.8A
类型：N沟道
导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS5710DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.2A€26.2A
类型：N沟道
导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：4.6A€16A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@4.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：4.6A€16A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@4.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS5710DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.2A€26.2A
类型：N沟道
导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR5710DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€56.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.8A€26.8A
类型：N沟道
导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR5710DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€56.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.8A€26.8A
类型：N沟道
导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS5710DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.2A€26.2A
类型：N沟道
导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR5710DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€56.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.8A€26.8A
类型：N沟道
导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR5710DP-T1-RE3
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功率：4.8W€56.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.8A€26.8A
类型：N沟道
导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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规格型号(MPN)：SISS5710DN-T1-GE3
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功率：4.1W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.2A€26.2A
类型：N沟道
导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS5710DN-T1-GE3
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功率：4.1W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.2A€26.2A
类型：N沟道
导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS5710DN-T1-GE3
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功率：4.1W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
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输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.2A€26.2A
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导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：4.6A€16A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@4.6A，10V
漏源电压：150V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR5710DP-T1-RE3
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输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.8A€26.8A
类型：N沟道
导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS86252
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功率：2.5W€69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
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输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：4.6A€16A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@4.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS5710DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.2A€26.2A
类型：N沟道
导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252
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功率：2.5W€69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：4.6A€16A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@4.6A，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS5710DN-T1-GE3
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功率：4.1W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.2A€26.2A
类型：N沟道
导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS86252
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功率：2.5W€69W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：4.6A€16A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@4.6A，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS5710DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.2A€26.2A
类型：N沟道
导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：4.6A€16A
类型：N沟道
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS5710DN-T1-GE3
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功率：4.1W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.2A€26.2A
类型：N沟道
导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR5710DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€56.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.8A€26.8A
类型：N沟道
导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR5710DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€56.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.8A€26.8A
类型：N沟道
导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS5710DN-T1-GE3
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功率：4.1W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.2A€26.2A
类型：N沟道
导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS5710DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.2A€26.2A
类型：N沟道
导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR5710DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€56.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@75V
连续漏极电流：7.8A€26.8A
类型：N沟道
导通电阻：31.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：4.6A€16A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@4.6A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：4.6A€16A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@4.6A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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