采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB110N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4510pF@75V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@92A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3415STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@22A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH15H017SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2344pF@75V
连续漏极电流：11A€61A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB390N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@27A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB110N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4510pF@75V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@92A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86260ET150
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@75V
连续漏极电流：5.4A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@5.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD80460E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：44.7mΩ@8.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD80460E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：44.7mΩ@8.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0630N150
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR578EP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.5W€150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@75V
连续漏极电流：17.4A€78A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD25N15-52_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3415STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@22A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD25N15-52-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB075N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7350pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB110N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4510pF@75V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@92A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD25N15-52-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1247，"22+"：1386}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86210-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5805pF@75V
连续漏极电流：169A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@80A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB110N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4510pF@75V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@92A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB075N15A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7350pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD25N15-52_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255ET150
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4480pF@75V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD25N15-52_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3415STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@22A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD25N15-52_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2552
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：5A€37A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@16A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2532
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：8A€79A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
