品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0630N150
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1247,"22+":1386}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86210-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@75V
连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1247,"22+":1386}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86210-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0630N150
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86210-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@75V
连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0630N150
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@75V
连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0630N150
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@75V
连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@75V
连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86210-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0630N150
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0630N150
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0630N150
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0630N150
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@75V
连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@75V
连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0630N150
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@75V
连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0630N150
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0630N150
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86210-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86210-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66518
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@75V
连续漏极电流:214A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86210-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1247,"22+":1386}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86210-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86210-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0630N150
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5805pF@75V
连续漏极电流:169A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@80A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: