品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":17200}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2552
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:5A€37A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":17200}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":17200}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":607}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2552-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:5A€37A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2552
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:5A€37A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2552
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:5A€37A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":865}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":568}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":568}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2552
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:5A€37A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2552
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:5A€37A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":607}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2552-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:5A€37A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":865}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2552
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:5A€37A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: