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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1328
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1760pF@75V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1760pF@75V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1760pF@75V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1328
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1328
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1760pF@75V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1285pF@75V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1760pF@75V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
