采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4620TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：77.5mΩ@15A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y41-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：64W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R107M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.7V@2.6mA
栅极电荷：15nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：496pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：141mΩ@8.9A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E240BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：750psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDQ60R022S7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：416W
阈值电压：4.5V@1.44mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5639pF@300V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@23A，12V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2774pF@100V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR172ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：29.8W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4620TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：77.5mΩ@15A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN045-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPBE65R099CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2513pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB150N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@540µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1999pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R099CFD7AATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2513pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R095C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R107M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：5.7V@2.6mA
栅极电荷：15nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：496pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：141mΩ@8.9A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：154}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB150N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@540µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1985pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN045-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R115CFD7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：144W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC24N10S5L300ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@12µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06LAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR24N15DTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@14A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4620TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：77.5mΩ@15A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR24N15DTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@14A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR24N15DTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@14A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ850EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@30V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R095C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R095C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
