采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002AQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002A-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@115mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002AQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002AQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C002UNT2L
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K35CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@3V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@50mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002AQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002AQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C002UNT2L
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K35CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@3V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@50mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002AQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C002UNT2L
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002A-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@115mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C002UNT2L
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002A-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@115mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002AQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K35CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@3V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@50mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002A-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@115mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K35CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@3V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@50mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002AQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002AQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002AQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002A-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@115mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002AQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002AQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002AQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
