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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB40UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：556pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB40UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：556pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.26W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：25mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.26W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：25mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.26W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：25mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB40UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：556pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.26W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：25mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB40UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：556pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.26W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：25mΩ
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.26W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：25mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB40UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：556pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMXB40UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：556pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.26W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：25mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.26W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：25mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB40UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：556pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB40UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：556pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.26W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：25mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.26W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：25mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.26W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：25mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.26W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：25mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.26W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：25mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB40UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：556pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB40UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：556pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB40UNEZ
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：45mΩ@3.2A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
输入电容：556pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
漏源电压：12V
栅极电荷：11.6nC@4.5V
功率：400mW€8.33W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB40UNEZ
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：45mΩ@3.2A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
输入电容：556pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
漏源电压：12V
栅极电荷：11.6nC@4.5V
功率：400mW€8.33W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
