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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22800pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22800pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@120mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@120mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@120mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@120mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22800pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@120mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMUDM7001 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.57nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMUDM7001 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.57nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@120mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMUDM7001 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.57nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1022R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
