采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-65℃~150℃
输入电容：345pF@25V
阈值电压：2V@250µA
功率：3W
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：100mΩ@4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-65℃~150℃
输入电容：345pF@25V
阈值电压：2V@250µA
功率：3W
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：100mΩ@4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-65℃~150℃
输入电容：345pF@25V
阈值电压：2V@250µA
功率：3W
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：100mΩ@4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：330pF@25V
功率：3W
栅极电荷：2.5nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-65℃~150℃
输入电容：345pF@25V
阈值电压：2V@250µA
功率：3W
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：100mΩ@4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2362ES-T1_GE3
导通电阻：147mΩ
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.3A
类型：N-Channel
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
输入电容：550pF@30V
漏源电压：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2362ES-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.3A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：12nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
导通电阻：95mΩ@4.5A，10V
输入电容：550pF@30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306GTA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：2.1A
漏源电压：60V
功率：3W
导通电阻：330mΩ@3A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：350pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_BE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：330pF@25V
功率：3W
栅极电荷：2.5nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055
输入电容：250pF@30V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
栅极电荷：15nC@10V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：100mΩ@4A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：330pF@25V
功率：3W
栅极电荷：2.5nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_BE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：330pF@25V
功率：3W
栅极电荷：2.5nC@4.5V
阈值电压：1V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-65℃~150℃
输入电容：345pF@25V
阈值电压：2V@250µA
功率：3W
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：100mΩ@4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L180GNTB
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：18A€68A
导通电阻：5.6mΩ@18A，10V
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@100µA
漏源电压：60V
功率：3W
输入电容：3230pF@30V
栅极电荷：63nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L145GNTB
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14.5A€47A
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2.7V@200µA
功率：3W
输入电容：1880pF@30V
导通电阻：9.7mΩ@14.5A，10V
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014L
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：160mΩ@3.4A，10V
栅极电荷：5nC@4.5V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-65℃~150℃
连续漏极电流：2.8A
功率：3W
ECCN：EAR99
输入电容：214pF@30V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-65℃~150℃
输入电容：345pF@25V
阈值电压：2V@250µA
功率：3W
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：100mΩ@4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2362ES-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.3A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：12nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
导通电阻：95mΩ@4.5A，10V
输入电容：550pF@30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014L
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：160mΩ@3.4A，10V
栅极电荷：5nC@4.5V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-65℃~150℃
连续漏极电流：2.8A
功率：3W
ECCN：EAR99
输入电容：214pF@30V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2362ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：4.3A
类型：N-Channel
导通电阻：147mΩ
漏源电压：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2362ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：4.3A
类型：N-Channel
导通电阻：147mΩ
漏源电压：1.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2362ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2362ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
