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    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    栅极电荷: 65nC@10V
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA64DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA64DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS10C4D2N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7418 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7418 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7418

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€83W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2994pF@15V

    连续漏极电流:46A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:30.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€54W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4268 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4268 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4268

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@30V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6382 起订1500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6382 起订1500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6382

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@15V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.85mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:30.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:30.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7418 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7418 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7418

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€83W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2994pF@15V

    连续漏极电流:46A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:30.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6382 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6382 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6382

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@15V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.85mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€71.4W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3040pF@50V

    连续漏极电流:13.6A€51.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6382 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6382 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6382

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@15V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.85mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€71.4W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3040pF@50V

    连续漏极电流:13.6A€51.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7418 起订21个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7418 起订21个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:13+

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7418

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€83W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2994pF@15V

    连续漏极电流:46A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":330,"23+":122}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA64DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA64DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4268 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4268 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4268

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@30V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€54W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:30.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€54W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€54W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6268 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6268 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6268

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2520pF@30V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4268 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4268 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4268

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@30V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6268 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6268 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6268

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2520pF@30V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS10C4D2N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€54W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€54W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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