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    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    栅极电荷: 60nC@10V
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
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    价格
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    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@40V

    连续漏极电流:33.6A€137.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7528 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7528 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7528

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€83W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2895pF@15V

    连续漏极电流:45A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC40STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€130W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC40STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€130W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7528 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7528 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7528

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€83W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2895pF@15V

    连续漏极电流:45A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321LDC 起订329个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321LDC 起订329个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8321LDC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€56W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3965pF@20V

    连续漏极电流:27A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB11N60C3ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB11N60C3ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPB11N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.9V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@40V

    连续漏极电流:33.6A€137.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB11N60C3ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB11N60C3ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPB11N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.9V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7422G 起订15个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7422G 起订15个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7422G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@15V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB10N50CFTM-WS 起订241个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB10N50CFTM-WS 起订241个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB10N50CFTM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:143W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2210pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:610mΩ@5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4296 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4296 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4296

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3130pF@50V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.3mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321LDC 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321LDC 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8321LDC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€56W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3965pF@20V

    连续漏极电流:27A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321LDC 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321LDC 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8321LDC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€56W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3965pF@20V

    连续漏极电流:27A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP32368 起订9个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP32368 起订9个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP32368

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2270pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB11N60C3ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB11N60C3ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPB11N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.9V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@40V

    连续漏极电流:33.6A€137.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFSS1D1N02P1E 起订348个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFSS1D1N02P1E 起订348个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4338}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFSS1D1N02P1E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€89W

    阈值电压:2V@934µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4360pF@13V

    连续漏极电流:39A€264A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.85mΩ@27A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB11N60C3ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB11N60C3ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPB11N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.9V@500µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB11N60C3ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB11N60C3ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPB11N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.9V@500µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@7A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40STRLPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40STRLPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC40STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€130W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP32368 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP32368 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP32368

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2270pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86103L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86103L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86103L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3710pF@50V

    连续漏极电流:12A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7528 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7528 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7528

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€83W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2895pF@15V

    连续漏极电流:45A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7428 起订1500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7428 起订1500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7428

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€83W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3120pF@15V

    连续漏极电流:34A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321LDC 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321LDC 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8321LDC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€56W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3965pF@20V

    连续漏极电流:27A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86103L 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86103L 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86103L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3710pF@50V

    连续漏极电流:12A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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