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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4296
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@50V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@13.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86103L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3710pF@50V
连续漏极电流：12A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86103L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3710pF@50V
连续漏极电流：12A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4D2N10MDT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€132W
阈值电压：4V@239µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@50V
连续漏极电流：16.4A€113A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4D2N10MDT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€132W
阈值电压：4V@239µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@50V
连续漏极电流：16.4A€113A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86103L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3710pF@50V
连续漏极电流：12A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6226
工作温度：-55℃~150℃
功率：108W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@50V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86103L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3710pF@50V
连续漏极电流：12A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86103L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3710pF@50V
连续漏极电流：12A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86103L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3710pF@50V
连续漏极电流：12A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86103L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3710pF@50V
连续漏极电流：12A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4D2N10MDT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€132W
阈值电压：4V@239µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@50V
连续漏极电流：16.4A€113A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6226
工作温度：-55℃~150℃
功率：108W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@50V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86103L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3710pF@50V
连续漏极电流：12A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4D2N10MDT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€132W
阈值电压：4V@239µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@50V
连续漏极电流：16.4A€113A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
