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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV230ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.45W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV230ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.45W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV230ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.45W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV230ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.45W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV230ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.45W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV230ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.45W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV230ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.45W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV230ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.45W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV230ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.45W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV230ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.45W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV230ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.45W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV230ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.45W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV230ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.45W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV230ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.45W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV230ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.45W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV230ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.45W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
