品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS40DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:36.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:12A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS40DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:36.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS40DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:36.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6484
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@50V
连续漏极电流:3.3A€12A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000,"22+":357}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5434,"23+":3295,"24+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:12A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS40DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:36.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5434,"23+":3295,"24+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:12A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS40DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@50V
连续漏极电流:36.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:12A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6484
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@50V
连续漏极电流:3.3A€12A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:12A€59A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000,"22+":357}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5622}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0804NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.3V@28µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:11A€58A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: