采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB10NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：115W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB10NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：115W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB10NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：115W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB10NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：115W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB10NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：115W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB10NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：115W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：14mΩ@10A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：2900pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：14mΩ@10A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：2900pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB10NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：115W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB10NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：115W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB10NK60ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：115W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5670
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：14mΩ@10A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：2900pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
