采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD360N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：916pF@400V
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类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD360N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD360N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD360N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
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类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD360N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@700µA
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输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
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输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
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输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD360N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
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输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：812}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
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输入电容：916pF@400V
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类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
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栅极电荷：17.5nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
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连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：812}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
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栅极电荷：17.5nC@10V
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输入电容：916pF@400V
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类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：17.5nC@10V
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输入电容：916pF@400V
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类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N65S3H
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：360mΩ@5A，10V
类型：N沟道
输入电容：916pF@400V
漏源电压：650V
栅极电荷：17.5nC@10V
阈值电压：4V@700µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
功率：83W
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：360mΩ@5A，10V
类型：N沟道
漏源电压：650V
阈值电压：4.5V@1mA
输入电容：730pF@400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N65S3H
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：360mΩ@5A，10V
类型：N沟道
输入电容：916pF@400V
漏源电压：650V
栅极电荷：17.5nC@10V
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD360N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：916pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
