采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T100CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5.25V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N50M2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T100CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5.25V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
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规格型号(MPN)：RD3T100CNTL1
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功率：85W
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栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3T100CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5.25V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3T100CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5.25V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD15N50M2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD15N50M2AG
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功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
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输入电容：530pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3T100CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5.25V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3T100CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5.25V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
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栅极电荷：25nC@10V
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连续漏极电流：10A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：STD15N50M2AG
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功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
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连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
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功率：85W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
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连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
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规格型号(MPN)：RD3T100CNTL1
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功率：85W
阈值电压：5.25V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
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规格型号(MPN)：RD3T100CNTL1
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栅极电荷：25nC@10V
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连续漏极电流：10A
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ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
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连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5.25V@1mA
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栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3T100CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5.25V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N50M2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3T100CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5.25V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3T100CNTL1
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功率：85W
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栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T100CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T100CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T100CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N50M2AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T100CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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