采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：130000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04N80C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU07N65A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
栅极电荷：14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU07N65A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：557pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R225C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU07N65A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04N80C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ084N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.8V@31µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R600E6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@210µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R600E6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@210µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ084N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.8V@31µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@40V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600P6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：557pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04N80C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.9V@240µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500，"13+"：31500，"18+"：2089，"19+"：4941，"20+"：1800，"22+"：5000，"MI+"：2528}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R600E6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R225C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500，"13+"：31500，"18+"：2089，"19+"：4941，"20+"：1800，"22+"：5000，"MI+"：2528}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R600E6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R225C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R600E6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@210µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R600C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@100V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
