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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7650DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS7650DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD19531Q5AT
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功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6000}
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规格型号(MPN)：FDMS7650DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD19531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD19531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD19531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD19531Q5A
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功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2086，"22+"：4450，"23+"：7228}
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规格型号(MPN)：FDMS7650DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS7650DC
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功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD19531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD19531Q5A
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功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS7650DC
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功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2086，"22+"：4450，"23+"：7228}
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规格型号(MPN)：FDMS7650DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS7650DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS7650DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7650DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
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规格型号(MPN)：CSD19531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7650DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7650DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5A
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功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@16A，10V
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