品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB40T65SPD-F085
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:35ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB20M65DF2
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):80A
关断延迟时间:108ns
反向恢复时间:166ns
关断损耗:560µJ
开启延迟时间:26ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:63nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,20A
导通损耗:140µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD4M65DF2
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):16A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:133ns
关断损耗:136µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:15.2nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,4A
导通损耗:40µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB30M65DF2
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:115ns
反向恢复时间:140ns
关断损耗:960µJ
开启延迟时间:31.6ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:80nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,30A
导通损耗:300µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB40T65SPD-F085
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:35ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB40T65SPD-F085
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:35ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD4M65DF2
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):16A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:133ns
关断损耗:136µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:15.2nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,4A
导通损耗:40µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB40T65SPD-F085
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:35ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB40H65FB
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:142ns
关断损耗:363µJ
开启延迟时间:40ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:210nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,40A
导通损耗:498µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB30M65DF2
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:115ns
反向恢复时间:140ns
关断损耗:960µJ
开启延迟时间:31.6ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:80nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,30A
导通损耗:300µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB30M65DF2
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:115ns
反向恢复时间:140ns
关断损耗:960µJ
开启延迟时间:31.6ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:80nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,30A
导通损耗:300µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB40H65FB
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:142ns
关断损耗:363µJ
开启延迟时间:40ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:210nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,40A
导通损耗:498µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB20M65DF2
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):80A
关断延迟时间:108ns
反向恢复时间:166ns
关断损耗:560µJ
开启延迟时间:26ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:63nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,20A
导通损耗:140µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB40T65SPD-F085
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:35ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB40T65SPD-F085
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:35ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB10M65DF2
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):40A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:96ns
关断损耗:270µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:28nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
导通损耗:120µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB40H65FB
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:142ns
关断损耗:363µJ
开启延迟时间:40ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:210nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,40A
导通损耗:498µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB40H65FB
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):160A
关断延迟时间:142ns
关断损耗:363µJ
开启延迟时间:40ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:210nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,40A
导通损耗:498µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB40T65SPD-F085
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:35ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB40T65SPD-F085
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:35ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD4M65DF2
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):16A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:133ns
关断损耗:136µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:15.2nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,4A
导通损耗:40µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB30M65DF2
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:115ns
反向恢复时间:140ns
关断损耗:960µJ
开启延迟时间:31.6ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:80nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,30A
导通损耗:300µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB40T65SPD-F085
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:35ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB40T65SPD-F085
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:35ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD6M65DF2
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):24A
关断延迟时间:90ns
反向恢复时间:140ns
关断损耗:200µJ
开启延迟时间:15ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:21.2nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,6A
导通损耗:36µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB10M65DF2
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):40A
关断延迟时间:91ns
反向恢复时间:96ns
关断损耗:270µJ
开启延迟时间:19ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:28nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,10A
导通损耗:120µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB40T65SPD-F085
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:35ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB40T65SPD-F085
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:35ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD4M65DF2
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):16A
关断延迟时间:86ns
反向恢复时间:133ns
关断损耗:136µJ
开启延迟时间:12ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:15.2nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,4A
导通损耗:40µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: