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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：5W（Ta），38W（Tc）
阈值电压：2.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470 pF @ 15 V
连续漏极电流：27A（Ta），60A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：5W（Ta），38W（Tc）
阈值电压：2.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470 pF @ 15 V
连续漏极电流：27A（Ta），60A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3
栅极电荷：32 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：27A（Ta），60A（Tc）
输入电容：1470 pF @ 15 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 10A，10V
功率：5W（Ta），38W（Tc）
阈值电压：2.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS2D8N04HLTAG
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.2W（Ta），63W（Tc）
阈值电压：2V @ 80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960 pF @ 20 V
连续漏极电流：24A（Ta），104A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.75 毫欧 @ 16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
