品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:104W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:38 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410 pF @ 75 V
连续漏极电流:60A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:11.5 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:125V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.5 毫欧 @ 15A,10V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流:60A(Tc)
漏源电压:60V
类型:N 通道
功率:57W(Tc)
阈值电压:3.6V @ 250µA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
输入电容:1710 pF @ 30 V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
阈值电压:2.7V @ 250µA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:14.5 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流:60A(Tc)
漏源电压:60V
类型:N 通道
功率:66W(Tc)
输入电容:1150 pF @ 30 V
导通电阻:9.9 毫欧 @ 12A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: