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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
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栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
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输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
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功率：350mW（Ta）
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类型：N 通道
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功率：350mW（Ta）
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类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
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功率：350mW（Ta）
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导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
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功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
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导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
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规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
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连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
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工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
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栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
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类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
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输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
连续漏极电流：340mA（Ta）
漏源电压：60V
类型：N 通道
输入电容：18 pF @ 30 V
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
连续漏极电流：340mA（Ta）
漏源电压：60V
类型：N 通道
输入电容：18 pF @ 30 V
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
连续漏极电流：340mA（Ta）
漏源电压：60V
类型：N 通道
输入电容：18 pF @ 30 V
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1U330AAFRGTL
工作温度：150°C（TJ）
功率：211W（Tc）
阈值电压：5V @ 1mA
栅极电荷：80 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500 pF @ 25 V
连续漏极电流：33A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：105 毫欧 @ 16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4H01NFT3G
工作温度：150°C（TJ）
功率：3.2W（Ta），125W（Tc）
阈值电压：2.1V @ 250µA
栅极电荷：82 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5538 pF @ 12 V
连续漏极电流：54A（Ta），334A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：0.7 毫欧 @ 30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3LN01C-TB-H
工作温度：150°C（TJ）
功率：250mW（Ta）
栅极电荷：1.58 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7 pF @ 10 V
连续漏极电流：150mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：3.7 欧姆 @ 80mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1439-TL-W
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：2.6V @ 1mA
栅极电荷：5.6 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：72 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1439-TL-W
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：2.6V @ 1mA
栅极电荷：5.6 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：72 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1439-TL-W
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：2.6V @ 1mA
栅极电荷：5.6 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：72 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4401UNEZ
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150°C（TJ）
连续漏极电流：5.4A（Tj）
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2 nC @ 4.5 V
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
