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    谷峰 Mosfet场效应管 G75P04D5 起订2个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G75P04D5 起订2个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G75P04D5

    阈值电压:2.5V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:70A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.7mΩ@10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G13P04S 起订18个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G13P04S 起订18个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G13P04S

    阈值电压:1.8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:13A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:13mΩ@10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.06nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.06nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.06nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4675 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4675 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4675

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:56nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.35nF@20V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.06nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4675 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4675 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4675

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:56nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.35nF@20V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.06nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订4000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订4000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.06nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.06nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.06nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4443P-AU_R2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4443P-AU_R2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W€59.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.767nF@25V

    连续漏极电流:46A€8.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3449_R1_00001 起订13个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3449_R1_00001 起订13个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3449_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:299pF@20V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:160mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3449_R1_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3449_R1_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3449_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:299pF@20V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:160mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4675 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4675 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4675

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:56nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.35nF@20V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订4000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订4000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.06nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFWS2D3P04M8LT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFWS2D3P04M8LT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFWS2D3P04M8LT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€205W

    阈值电压:2.4V@2.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:157nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.985nF@20V

    连续漏极电流:31A€222A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:2.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4443P-AU_R2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4443P-AU_R2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W€59.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.767nF@25V

    连续漏极电流:46A€8.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU45P04-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU45P04-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU45P04-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.451nF@20V

    连续漏极电流:45A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3449_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3449_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3449_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:299pF@20V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:160mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4443P-AU_R2_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4443P-AU_R2_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W€59.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.767nF@25V

    连续漏极电流:46A€8.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU45P04-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU45P04-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU45P04-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.451nF@20V

    连续漏极电流:45A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:14mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G75P04D5 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G75P04D5 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G75P04D5

    阈值电压:2.5V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:70A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.7mΩ@10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4443P-AU_R2_000A1 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4443P-AU_R2_000A1 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W€59.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.767nF@25V

    连续漏极电流:46A€8.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4443P-AU_R2_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4443P-AU_R2_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4443P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W€59.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.767nF@25V

    连续漏极电流:46A€8.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7G080ATTCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.06nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3449_R1_00001 起订9个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3449_R1_00001 起订9个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3449_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:299pF@20V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:160mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4675 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4675 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4675

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:56nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.35nF@20V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G75P04D5 起订2个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G75P04D5 起订2个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G75P04D5

    阈值电压:2.5V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:70A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.7mΩ@10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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