品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84WAHZGT106
功率:300mW
阈值电压:2.5V@100μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5.3Ω@210mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84WAHZGT106
功率:300mW
阈值电压:2.5V@100μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5.3Ω@210mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84WAHZGT106
功率:300mW
阈值电压:2.5V@100μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5.3Ω@210mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84WAHZGT106
功率:300mW
阈值电压:2.5V@100μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5.3Ω@210mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84WAHZGT106
功率:300mW
阈值电压:2.5V@100μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5.3Ω@210mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84WAHZGT106
功率:300mW
阈值电压:2.5V@100μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5.3Ω@210mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84WAHZGT106
功率:300mW
阈值电压:2.5V@100μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5.3Ω@210mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84WAHZGT106
功率:300mW
阈值电压:2.5V@100μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5.3Ω@210mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84WAHZGT106
功率:300mW
阈值电压:2.5V@100μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5.3Ω@210mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84WAHZGT106
功率:300mW
阈值电压:2.5V@100μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5.3Ω@210mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84WAHZGT106
功率:300mW
阈值电压:2.5V@100μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5.3Ω@210mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: