品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65.7W€5W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.93nF@15V
连续漏极电流:108A€29.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
栅极电荷:168nC@8V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
输入电容:5.875nF@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
功率:1.5W€2.2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
栅极电荷:168nC@8V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
输入电容:5.875nF@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
功率:1.5W€2.2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-E3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@50V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2393DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:980pF@15V
连续漏极电流:6.1A€7.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:22.7mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@10V,4.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@10V,4.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2333
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9024TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:280mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9220TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.5Ω@10V,2.2A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2333
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9024TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:280mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2393DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:980pF@15V
连续漏极电流:6.1A€7.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:22.7mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:4.37nF@20V
导通电阻:11.7mΩ@10V,15A
阈值电压:2.3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
栅极电荷:135nC@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
输入电容:580pF@15V
功率:2W€3W
栅极电荷:14.5nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:8A€6.4A
阈值电压:2.2V@250μA
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7423DN-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
漏源电压:30V
导通电阻:18mΩ@10V,11.7A
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:56nC@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-BE3
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
连续漏极电流:3A
导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:15nC@4.5V
功率:750mW
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si2343CDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:1.25W€2.5W
连续漏极电流:5.9A
栅极电荷:21nC@10V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:45mΩ@10V,4.2A
输入电容:590pF@15V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:1.35nF@15V
连续漏极电流:11.4A
阈值电压:3V@250μA
导通电阻:24mΩ@10V,9.1A
功率:2.5W€5W
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: