采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：420，"22+"：2900，"23+"：5491，"24+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：420，"22+"：2900，"23+"：5491，"24+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：420，"22+"：2900，"23+"：5491，"24+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40P10-40L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5295pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40P10-40L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5295pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：420，"22+"：2900，"23+"：5491，"24+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40P10-40L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5295pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40P10-40L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5295pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40P10-40L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5295pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40P10-40L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5295pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40P10-40L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5295pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
类型：P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40P10-40L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5295pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS008P03P8Z
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：134nC@10V
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：22A€96A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
