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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@1.037mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
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功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
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类型：P沟道
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输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
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类型：P沟道
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连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
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规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
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功率：83W
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栅极电荷：39nC@10V
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输入电容：1600pF@30V
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
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栅极电荷：39nC@10V
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输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
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功率：83W
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栅极电荷：39nC@10V
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类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
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功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
栅极电荷：39nC@10V
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输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@1.037mA
栅极电荷：39nC@10V
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输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@1.037mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@1.037mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
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连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
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功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@1.037mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
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连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
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功率：1.8W€4.2W
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连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
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行业应用：工业,汽车
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输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@1.037mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@1.037mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@1.037mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
漏源电压：60V
类型：P沟道
连续漏极电流：3.7A
阈值电压：4V@1.037mA
输入电容：1600pF@30V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
漏源电压：60V
类型：P沟道
连续漏极电流：3.7A
阈值电压：4V@1.037mA
输入电容：1600pF@30V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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