采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP15P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA817EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€6.5W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA817EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€6.5W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP15P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP15P04SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP15P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1369}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9511L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@20V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP15P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA817EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€6.5W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA817EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€6.5W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA817EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€6.5W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP15P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP15P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP15P04SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP15P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP15P04SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA817EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€6.5W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP15P04SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP15P04SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA817EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€6.5W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21311C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP15P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
