采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6342-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：73mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2200，"20+"：3000，"22+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMFPB8032XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：485mW€6.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.2V@100µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@12V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6342-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：73mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@12V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2040UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
连续漏极电流：5.5A€13A
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@12V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.2V@100µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@12V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2040UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
连续漏极电流：5.5A€13A
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMFPB8032XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：485mW€6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@12V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2040UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
连续漏极电流：5.5A€13A
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2040UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
连续漏极电流：5.5A€13A
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2040UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
连续漏极电流：5.5A€13A
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@12V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@12V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2040UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
连续漏极电流：5.5A€13A
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2040UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
连续漏极电流：5.5A€13A
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2040UVT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
连续漏极电流：5.5A€13A
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2040UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
连续漏极电流：5.5A€13A
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2040UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
连续漏极电流：5.5A€13A
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2040UVT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
连续漏极电流：5.5A€13A
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMFPB8032XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：485mW€6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.2V@100µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@12V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.2V@100µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@12V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMFPB8032XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：485mW€6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6342-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：73mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2040UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
连续漏极电流：5.5A€13A
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2040UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
连续漏极电流：5.5A€13A
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@12V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
