采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ50S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ50S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ50S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ50S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ50S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ50S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ50S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ50S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ50S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ50S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ50S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ50S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ50S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
