采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT1A060APTR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：0，"MI+"：1735}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS8434
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
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阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
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输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
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阈值电压：1V@1mA
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输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
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类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
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连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
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规格型号(MPN)：RT1A060APTR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
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输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NDS8434
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT1A060APTR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
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输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
功率：550mW
工作温度：150℃
栅极电荷：80nC@4.5V
输入电容：7800pF@6V
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：12V
连续漏极电流：7A
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
功率：550mW
工作温度：150℃
栅极电荷：80nC@4.5V
输入电容：7800pF@6V
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
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连续漏极电流：7A
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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生产批次：{"21+"：0，"MI+"：1735}
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输入电容：2330pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：80nC@4.5V
导通电阻：35mΩ@6.5A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
功率：2.5W
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ECCN：EAR99
连续漏极电流：6.5A
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功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
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输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT1A060APTR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT1A060APTR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070APTR
工作温度：150℃
功率：550mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7800pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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