采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP103-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000，"23+"：9067，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR9343TRPBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：79W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR9343TRPBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：79W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€39W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：9A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFGQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR9343TRPBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：79W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP103-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€39W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：9A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€39W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：9A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€39W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：9A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR9343TRPBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：79W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFGQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€39W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：9A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFGQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4435BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€39W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@15V
连续漏极电流：9A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR9343TRPBF
工作温度：-40℃~175℃
功率：79W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@50V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP103-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
