品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@23.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":34667}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF6218STRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2210pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@23.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@23.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€155W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2910pF@25V
连续漏极电流:33.5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@16.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€155W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2910pF@25V
连续漏极电流:33.5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@16.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€155W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2910pF@25V
连续漏极电流:33.5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@16.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":34667}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF6218STRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2210pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@23.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€155W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2910pF@25V
连续漏极电流:33.5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@16.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@23.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€155W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2910pF@25V
连续漏极电流:33.5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@16.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€155W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2910pF@25V
连续漏极电流:33.5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@16.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@23.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@23.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€155W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2910pF@25V
连续漏极电流:33.5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@16.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€155W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2910pF@25V
连续漏极电流:33.5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@16.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€155W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2910pF@25V
连续漏极电流:33.5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@16.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€155W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2910pF@25V
连续漏极电流:33.5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@16.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":34667}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF6218STRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2210pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€155W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2910pF@25V
连续漏极电流:33.5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@16.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€155W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2910pF@25V
连续漏极电流:33.5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@16.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€155W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2910pF@25V
连续漏极电流:33.5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@16.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":34667}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF6218STRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2210pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@23.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@23.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€155W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2910pF@25V
连续漏极电流:33.5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@16.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€155W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2910pF@25V
连续漏极电流:33.5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@16.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:26mΩ@23.5A,10V
连续漏极电流:47A
类型:P沟道
功率:3.75W€160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB34P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€155W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2910pF@25V
连续漏极电流:33.5A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@16.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: