品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.2pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@50mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.2pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@50mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J355R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.2pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@50mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.2pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@50mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J355R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J355R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J355R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J145TU,LXHF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
连续漏极电流:3A
栅极电荷:4.6nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:270pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4C050APTR
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
工作温度:150℃
栅极电荷:55nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
输入电容:5500pF@10V
漏源电压:20V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J145TU,LXHF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
连续漏极电流:3A
栅极电荷:4.6nC@4.5V
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:270pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J143TU,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:840pF@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J328R,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:840pF@10V
功率:1W
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J65CTC,L3F
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:700mA
功率:500mW
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
输入电容:48pF@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:500mΩ@500mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF
输入电容:2600pF@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:150℃
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.9nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J36FS,LF
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
工作温度:150℃
导通电阻:1.31Ω@100mA,4.5V
栅极电荷:1.2nC@4V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:330mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J422TU,LF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:150℃
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
导通电阻:42.7mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:840pF@10V
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J358R,LF
栅极电荷:38.5nC@8V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
功率:1W
连续漏极电流:6A
导通电阻:22.1mΩ@6A,8V
输入电容:1331pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6G18NU,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:2A
栅极电荷:4.6nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
功率:1W
输入电容:270pF@10V
导通电阻:112mΩ@1A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J331R,LF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
栅极电荷:10.4nC@4.5V
工作温度:150℃
输入电容:630pF@10V
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存: