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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：863，"11+"：2500，"14+"：49000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO303SPNTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.35W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1754pF@25V
连续漏极电流：8.9A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@8.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7726TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.79W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2204pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：863，"11+"：2500，"14+"：49000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO303SPNTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.35W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1754pF@25V
连续漏极电流：8.9A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@8.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：863，"11+"：2500，"14+"：49000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO303SPNTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.35W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1754pF@25V
连续漏极电流：8.9A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@8.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3421DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：19.2mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
