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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ035P03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ035P03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ035P03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ035P03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ035P03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3035SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1633pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ045P03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E045RPTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ035P03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ035P03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ045P03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ045P03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ035P03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ035P03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3035SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1633pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E060ATTCR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：25.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：26.4mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ045P03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
