品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26P3LLH6
工作温度:175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP102-TL-H
工作温度:150℃
功率:40W
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:18.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26P3LLH6
工作温度:175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26P3LLH6
工作温度:175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
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输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26P3LLH6
工作温度:175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
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输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP102-TL-H
工作温度:150℃
功率:40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:18.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP102-TL-H
工作温度:150℃
功率:40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:18.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26P3LLH6
工作温度:175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26P3LLH6
工作温度:175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
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类型:P沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP102-TL-H
工作温度:150℃
功率:40W
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:18.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26P3LLH6
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:12A
工作温度:175℃
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:1450pF@25V
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26P3LLH6
工作温度:175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP102-TL-H
工作温度:150℃
功率:40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:18.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP102-TL-H
工作温度:150℃
功率:40W
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:18.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP102-TL-H
工作温度:150℃
功率:40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:18.5mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存: