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    onsemi Mosfet场效应管 MCH6342-TL-W 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6342-TL-W 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6342-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.3V@1mA

    栅极电荷:8.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:73mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSS-13 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSS-13 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@30V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA811ADJ-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA811ADJ-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA811ADJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W€6.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:116mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LVT-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3050LVT-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3050LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@30V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RAL045P01TCR 起订22个装
    ROHM Mosfet场效应管 RAL045P01TCR 起订22个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RAL045P01TCR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC638APZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638APZ 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC638APZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SSS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@30V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD2110TT1G 起订1106个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD2110TT1G 起订1106个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":45000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD2110TT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1072pF@6V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638P 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638P 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC638P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1345-TL-H 起订2914个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1345-TL-H 起订2914个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":17077,"17+":740000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1345-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:49mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV27UPER 起订288个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV27UPER 起订288个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV27UPER

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€4.15W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:22.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1820pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV27UPER 起订20个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV27UPER 起订20个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV27UPER

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€4.15W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:22.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1820pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV27UPEAR 起订190个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV27UPEAR 起订190个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV27UPEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€4.15W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:22.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1820pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA817EDJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA817EDJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA817EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€6.5W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6342-TL-W 起订2063个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6342-TL-W 起订2063个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":8000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6342-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:73mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3H045SPFRATL 起订9个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3H045SPFRATL 起订9个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3H045SPFRATL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3H045SPTL1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3H045SPTL1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3H045SPTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV27UPEAR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV27UPEAR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV27UPEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€4.15W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1820pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV27UPER 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV27UPER 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV27UPER

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€4.15W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:22.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1820pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6337-TL-H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6337-TL-H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":610591,"15+":3000,"18+":27000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6337-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:49mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV27UPER 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV27UPER 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV27UPER

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€4.15W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1820pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638P 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC638P 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC638P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9433BDY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV27UPEAR 起订9000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV27UPEAR 起订9000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV27UPEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€4.15W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:22.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1820pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA811ADJ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA811ADJ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA811ADJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W€6.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:116mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3H045SPTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3H045SPTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3H045SPTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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