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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.09nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1047.98pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：18.09nC@10V
连续漏极电流：5.7A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
类型：P沟道
输入电容：1047.98pF@15V
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：18.09nC@10V
连续漏极电流：5.7A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
类型：P沟道
输入电容：1047.98pF@15V
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3481CX6 RFG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：18.09nC@10V
连续漏极电流：5.7A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：48mΩ@5.3A，10V
类型：P沟道
输入电容：1047.98pF@15V
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2163pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2163pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2163pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2163pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2163pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
